《硅-二氧化硅界面物理：前沿理论与实验技术》

硅作为半导体工业的核心材料，其与二氧化硅（SiO2）的界面物理特性对于器件的性能和可靠性至关重要，近年来，随着纳米技术的飞速发展，硅-二氧化硅界面物理的研究成为了材料科学和微电子学领域的前沿课题，本书《硅-二氧化硅界面物理：前沿理论与实验技术》正是为了满足这一领域的研究需求而出版的。

作者：李明辉

出版社：科学出版社

出版时间：2020年

本书由李明辉教授撰写，李明辉教授是我国著名的材料科学家，长期从事半导体材料与器件的研究工作，在硅-二氧化硅界面物理领域有着深入的研究和丰富的经验。

本书的介绍如下：

《硅-二氧化硅界面物理：前沿理论与实验技术》是一本系统介绍硅-二氧化硅界面物理的理论、实验技术和应用的综合教材，本书共分为九章，内容涵盖了硅-二氧化硅界面物理的基本概念、界面结构、界面能、界面态、界面缺陷、界面反应、界面稳定性、界面特性测量方法以及界面在半导体器件中的应用等方面。

具体篇章内容如下：

第一章：引言，介绍了硅-二氧化硅界面物理的研究背景、意义和发展现状。

第二章：硅-二氧化硅界面结构，详细讨论了硅-二氧化硅界面的原子结构和电子结构。

第三章：界面能，阐述了界面能的概念、计算方法和实验测量技术。

第四章：界面态，介绍了界面态的分类、特性及其对器件性能的影响。

第五章：界面缺陷，分析了界面缺陷的形成机制、类型和特性。

第六章：界面反应，探讨了界面反应的类型、机理和影响因素。

第七章：界面稳定性，研究了界面稳定性的影响因素和调控方法。

第八章：界面特性测量方法，介绍了各种界面特性测量技术的原理、方法和应用。

第九章：界面在半导体器件中的应用，分析了界面特性对半导体器件性能的影响以及界面工程在器件设计中的应用。

丰富，结构清晰，理论与实践相结合，适合作为高等院校材料科学、微电子学等相关专业的教材，也可供从事硅-二氧化硅界面物理研究的专业人员参考。